3月11日消息，美国科技巨头IBM昨日正式宣布，与全球领先的半导体设备制造商泛林集团（Lam Research）达成一项为期五年的战略合作协议。双方将聚焦新材料、先进蚀刻/沉积工艺、High NA EUV光刻的联合开发，推动实现“亚1纳米”（Sub-1nm）尖端逻辑制程。

此次合作的背景，是全球对算力需求的爆炸式增长。随着生成式AI大模型的参数规模不断攀升，传统制程在功耗与性能上的平衡日益艰难。亚1nm技术所承诺的更低功耗和更快速度，将成为未来数据中心、边缘计算及高端移动设备的核心驱动力。

IBM半导体总经理Mukesh Khare指出，过去十多年来，泛林一直是IBM在逻辑微缩领域的核心伙伴，共同见证了包括纳米片技术在内的多项突破，并助力IBM于2021年成功发布了全球首款2nm节点芯片。然而，面对即将到来的亚1nm挑战，传统的平面微缩已难以为继，行业必须进入“3D微缩”的新纪元。

根据协议，双方将整合IBM位于纽约奥尔巴尼园区的世界级研发能力与泛林端到端的工艺工具及创新技术。合作团队将致力于构建并验证基于纳米片（Nanosheet）及纳米堆叠器件的完整工艺流程，特别是针对背面供电（Backside Power Delivery）技术的优化。这一技术的核心目标，是将High-NA EUV光刻机生成的复杂图案，以极高的良率可靠地转移到实际器件层中，从而探索出一条可行的量产路径。

亚1nm制程被视为半导体行业超越2nm节点后的下一代技术极限，其节点数值小于10埃（1nm=10埃）。在这一尺度下，硅材料的物理特性面临严峻挑战，短沟道效应愈发显著。

泛林集团首席技术与可持续发展官Vahid Vahedi强调，随着行业进入3D微缩的新时代，进步取决于重新思考如何将材料、工艺和光刻技术整合为一个单一的高密度系统。他特别提到，双方将推动High-NA EUV干式光刻胶及相关工艺的突破，这对于加速开发低功耗、高性能晶体管至关重要，也将直接赋能AI时代的算力需求。