据韩国媒体TheElec最新报道，三星计划于今年3月正式停止其位于韩国华城工厂12号生产线（Line 12）的2D NAND闪存生产，并将该产线全面改造为用于生产最新一代1c纳米DRAM的终端晶圆厂。这标志着三星在运营24年后，彻底终结了平面NAND闪存的生产时代，转而将全部火力集中于应对人工智能（AI）爆发带来的DRAM需求激增。

华城12号生产线曾是三星“闪存帝国”的功勋产线。自2002年率先在全球量产1Gb NAND闪存之后，三星一跃成为全球最大的闪存制造商。2013年，随着3D V-NAND技术的量产，NAND闪存行业开启了从平面向垂直堆叠的技术革命。尽管此后3D NAND成为绝对主流，但三星仍保留了小规模的2D NAND产能，以服务于USB等低端利基市场。

然而，随着市场需求结构的根本性转变，2D NAND的生存空间已微乎其微。

三星在第四季度财报电话会议上明确表示，将加速淘汰传统工艺，全面转向先进制程。此次12号产线的关停与改造，距离三星开启2D NAND生产已过去24年，距离3D NAND量产也已过去13年。

据悉，三星去年已提前通知相关客户停止2D NAND供应，而华城工厂减少的NAND产能，将由其位于中国西安工厂升级后的下一代3D NAND产线进行弥补。

此次产线改造的核心目标，是解决当前极度紧缺的1c纳米DRAM产能瓶颈。改造后的12号产线将作为“终端晶圆厂”，专门负责DRAM生产前端流程后期的关键步骤，如金属布线和表面处理，并与园区内的前端产线协同作业，预计月产能可达8万至10万片12英寸晶圆。

1c纳米工艺是三星最新一代DRAM技术的关键，更是制造其旗舰产品HBM4（第四代高带宽内存）的核心基础。

随着AI服务器需求的爆炸式增长，HBM已成为供不应求的战略性资源。2月初，三星宣布已开始出货HBM4，该产品不仅采用了1c纳米DRAM堆叠，还集成了三星4纳米工艺制造的基片，传输速度高达11.7Gbps，远超JEDEC标准的8Gbps，最高甚至可达13Gbps。三星方面透露，其HBM4良率正在迅速稳定，并预计今年HBM业务收入将实现两倍增长。

除了华城工厂，三星还在平泽园区大力扩展1c纳米DRAM产能。原本设计用于混合生产的平泽P4工厂，现已改造为专注于DRAM生产的基地。这一系列动作表明，三星正以前所未有的力度重构其韩国本土的制造版图，以应对DRAM市场的长期短缺。

过去数月来，DRAM价格快速上涨，部分服务器客户为大容量DDR5模块开出了高达70%的溢价，却依然难以保证供应。这使得三星、SK海力士、铠侠、美光均在2025年下半年对NAND闪存选择减产策略。而三星通过将低利润的2D NAND产线转化为高附加值的1c DRAM产线，不仅优化了资产效率，更旨在锁定未来AI时代的核心市场份额。