11月19日消息，韩国ETNews昨日报道称，为重夺DRAM市场领导地位，三星计划到2026年底将其10nm第六代DRAM（1c DRAM）的月产能扩大到20万片（晶圆），将达到公司整体DRAM总产量的三分之一。即便说三星DRAM业务重心明年将转移至1c也毫不为过。

据ETNews称，三星电子今年前三季度已经连续将DRAM市场龙头地位拱手让给SK海力士。三星将主因归咎于核心DRAM业务。公司认定DRAM品质直接影响HBM竞争力，随即启动大规模设计革新。

1c DRAM正是其努力的结果。消息人士称1c近期已获得内部认可，良率达到约70%，稳定量产（良率80~90%）指日可待。采用1c DRAM制造的HBM4良率也被确认突破50%。

另外，三星电子历经艰辛，终于敲定了向英伟达供应HBM4的协议，计划从今年第四季度开始交付首批产品。随着HBM4需求激增已成定局，该公司正全力投入1c DRAM产能建设。

服务器、PC及移动设备用DRAM需求同样推动了三星电子的投资布局。其中服务器DRAM需求因AI数据中心投资扩张而暴增。随着数据中心运营商竞相投入基础设施以实现AI服务，服务器DRAM价格也正急剧攀升。

同时，增长放缓的PC和移动市场也正悄然复苏。这得益于端侧AI的兴起。IT之家注意到，要想在终端设备上运行AI计算，大容量内存势在必行。这意味着DRAM需求将大幅增加。PC和移动设备市场也将成为支撑DRAM需求的重要支柱，预计将引发供应短缺。

对高性能内存的强劲需求，正是三星扩大1c DRAM生产占比的根本动因。而1c DRAM作为三星独有的差异化武器，更加速了这一进程。

当竞争对手仍在使用1b DRAM时，三星已决定采用1c DRAM制造HBM。此举旨在通过领先一代的产品实现逆转。三星正通过大规模扩充产能，试图以1c DRAM颠覆市场格局。

行业人士指出：“三星电子凭借远超竞争对手的生产能力主导市场，这种战略在1c DRAM领域极可能重现。”

据介绍，1c生产将通过扩建与工艺转换推进，其中扩建以平泽第四工厂(P4)为核心，目前正处于设备进场与安装阶段。

工艺转换则是指将10纳米级1x・1y・1z DRAM生产线改造为1c制造专用产线，属于技术迁移。此举可最大限度利用现有生产线设备，仅引进必需设备，从而快速构建DRAM生产线，提升市场响应速度。

该方案在投资回报方面具有显著成本节约效益。同时，此举被解读为缩减面临中国激烈追赶的旧代DRAM产能，集中力量发展新一代DRAM以实现“超差距”战略的决心。据悉，技术迁移工作正以多条生产线同步推进的方式展开。