8月19日消息，台媒《工商时报》本月16日报道称，英伟达已启动自家HBM内存Base Die（注：基础裸片）设计计划。英伟达未来的HBM内存供应链将采用内存原厂DRAM Die+英伟达Base Die的组合模式，有望改写下一代HBM市场竞争版图。

据悉英伟达的自研HBM Base Die将采用3nm工艺制程，预计于2027年下半年开始小规模试产。这一时间点大致对应"Rubin"后的下一代AI GPU"Feynman"。

由于传输速率、功能两方面的要求提升，从HBM4开始HBM内存的Base Die转向逻辑半导体制程，而英伟达在这一领域的设计经验明显多于SK海力士这样的纯存储半导体制造商。

英伟达自研Base Die有助于加强其对HBM内存的议价能力，利于向Base Die导入一系列高级功能，且能为采用NVLink Fusion IP的第三方ASIC提供更多模块化组合。