7月13日消息，韩媒SEDaily今日报道称，LG电子下属的生产技术研究所(PTI)已启动混合键合设备开发，目标在2028年实现大规模量产。

混合键合未来将毫无疑问地成为16+层堆叠HBM内存堆栈构建的关键技术，其采用无凸块的铜-铜键合，缩小各层DRAM Die间距，能在有限的高度内实现更高层数堆叠，且具备更低发热。

目前在HBM内存混合键合机台开发方面，Besi和应用材料处于领先地位，而韩国两大内存企业SK海力士和三星电子有实现关键设备供应本地化的需求，LG电子有望在这部分市场分得一杯羹。

另一方面，LG电子已定下强化AI与B2B业务的愿景，混合键合设备同时符合这两大目标。