随着生成式AI和高性能计算需求的不断增长，HBM4内存将成为推动AI应用和数据中心效率提升的重要技术基础。

近日，美光科技宣布，已向多个关键客户交付HBM4 12Hi 36GB内存工程样品。

该产品基于成熟的1β（1-beta）工艺24Gb DRAM Die，采用12层堆叠封装技术，单堆栈带宽超过2.0TB/s，性能较上一代HBM3E提升60%以上，同时能效也实现了20%的提升。

此外，HBM4内存还具备强大的MBIST内存内置自检功能，能够提升逻辑xPU与内存间的数据交互效率，使AI加速器能更快地响应并更有效地进行推理。

美光在HBM领域的布局也显示出其积极追赶三星和SK海力士的意图。美光计划在2026年实现HBM4的产能爬坡，以与客户的下一代AI平台量产节奏保持一致。

美光表示，其HBM4内存提升了逻辑xPU与内存间的数据交互，让AI加速器能更快地响应并更有效地进行推理。

“美光HBM4的性能、更高的带宽和行业领先的能效证明了我们的内存技术和产品领先地位。”美光云内存业务部高级副总裁兼总经理RajNarasimhan表示，“在HBM3E部署取得的非凡里程碑的基础上，我们将继续通过HBM4和我们强大的AI内存和存储解决方案产品组合推动创新。我们的HBM4生产里程碑与客户的下一代AI平台准备情况保持一致，以确保无缝集成和量产。”

美光HBM4 12Hi 36GB的出样，标志着AI内存技术竞争进入新阶段，其性能与能效优势将重塑2026年高端计算市场。同时，随着英伟达、AMD等头部客户的落地应用，HBM4有望成为生成式AI与超算的"标配"，同时推动半导体产业链向3D集成与能效优化方向加速演进。