近日消息，软银与英特尔合作研发新型AI内存芯片，旨在通过创新技术显著降低功耗，从而推动AI数据中心的能效提升和绿色计算发展。

据悉，双方计划开发一种新型堆叠式DRAM芯片，其设计不同于现有的高带宽内存（HBM），预计可将电力消耗减少约50%。这一技术突破对于应对AI计算中日益增长的能源需求和降低运营成本具有重要意义。

负责该研发项目的是软银与英特尔新成立的公司Saimemory。其中，软银作为主要出资方，负责资金支持和战略规划，而英特尔则提供技术专利和设计经验，东京大学等高校则贡献了相关研究成果。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责。这种分工模式有助于充分发挥各方的优势，提高研发效率。

Saimemory的项目目标是开发一种堆叠式DRAM技术，通过优化布线方式和连接技术，显著提升能效比。这种新型内存芯片将被用于AI训练数据中心，以满足海量数据处理的高算力需求。

当前，HBM市场主要由韩国SK海力士和三星电子主导，但其生产技术面临良率低、成本高、能耗大等问题，导致日本企业难以获得稳定供应。

同时，自1980年代失去70%以上的DRAM市场份额后，日本最后一家DRAM制造商尔必达于2013年破产后被美光科技收购。软银希望通过此次合作，开发出一种替代HBM的堆叠式DRAM解决方案，推动日本重返全球内存芯片供应国之列。

此外，软银还考虑与台积电等半导体制造商合作，以确保产能和技术创新。此前，该公司还斥资6.76亿美元收购夏普LCD工厂，拟在大阪建设150兆瓦级AI数据中心，以深化与OpenAI的合作关系并完善其AI基础设施战略布局。

根据计划，这种技术有望在2027年前完成原型设计，并在2030年前实现商业化。如果成功，Saimemory希望通过这种替代产品，抢占至少日本数据中心的市场份额。

在资金投入上，整体投资预计达到100亿日元（约合5亿元人民币）。其中，软银作为主要投资方，出资30亿日元（现汇率约合1.5亿元人民币）。日本理化学研究所与神港精机也在考虑从资金或技术方面参与到该项目中。

当前，日本政府也在积极推动人工智能技术的发展，提供财政支持。该项目方还计划申请政府支持，以进一步推动项目的顺利开展。